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硅微條探測器硅微條探測器
描述硅微條探測器中的耗盡電壓。與采用相同基板制成的平面型二極管相比，硅微條探測器的耗盡電壓較大。對于微條間距 P 和微條擴(kuò)散寬度 W，P 越大或 W/P 越小，耗盡電壓將會越大。 交流讀出式硅微條探測器可以支持哪些偏置電阻值？偏置電阻由多晶硅電阻器形成，可根據(jù)需要在幾百千歐至幾十兆歐（產(chǎn)品定制）的范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)節(jié)。 交流讀出式硅微條探測器可以支持哪些耦合電容值？耦合電容由微條擴(kuò)散層和鋁讀出電極之間的絕緣膜（耦合膜）決定。該電容可以根據(jù)需要在約 120 pF/mm2 至 180 pF/mm2（產(chǎn)品定制）的范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)節(jié)，耦合膜耐受電壓越高，實(shí)現(xiàn)較大耦合電容的難度越大。例如，假設(shè)耦合膜耐受電壓為 100 V，則耦合電容將為約 140 pF/mm2 或更低。 |
